Nanoscale Chip Wiring Era

Posted by  27 June 2013

תמונת TEM זו שנלקחה במרכז מידן לטכנולוגיה באפלייד מטיריאלס מראה סדרה של תעלות בגודל 20 ננומטר. המבנים הקטנים האלה, כ 1/5000 מקוטר של שיערה אנושית ממוצעת, זהים למוליכים שישמשו לחיבור מיליארדי טרזיסטורים בשבבים של הדור הבא. אתם יכולים לראות שכל מבנה כזה ממולא חלקית בנחושת, עד לבסיסו, ללא רווחים וחורים. הישג זה הוגשם באמצעות טכנולוגיית הזרמת הנחושת (copper reflow) המהפכנית של אפלייד. כדי להבין איך זה עובד, צפו בסרטון הזה.

applied TEM 27 6 2013

מה כל זה אומר? החשיבות בתמונה הזו היא בעובדה שהיא מאמתת את היכולת של טכנולוגיית הזרמת הנחושת החדשה לקדם את טכנולוגיות ייצור שכבות המוליכים (interconnect) אל מתחת לרף ה-20 ננומטר. ללא טכנולוגיית ההזרמה, זו משימה קשה עד בלתי אפשרית לייצר חיווט נחושת איכותי ונטול חורים, עבור התעשייה שמתקדמת לטכנולוגיה חד-ספרתית. למה זה משנה? מכיוון שברמות מתקדמות אלה, חור קטן יחיד בכ-100 ק"מ של חיבורים הנדרשים לחבר מיליארדי טרנזיסטורים בשבב בודד, עלול להפוך את השבב לחסר תועלת לחלוטין.

לקריאת הבלוג המלא

Last modified on Thursday, 27 June 2013 09:40